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三星计划利用全球首个3纳米工艺制造芯片

2020/1/3 10:19:00IT之家关键字:三星 举世首个 3纳米工艺 制造芯片

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据韩媒koreaherald报道,三星电子事实上的引导者李在镕周四评论争论了该公司将使用举世首个3纳米工艺技巧制造芯片的计谋。

据韩媒koreaherald报道,三星电子事实上的引导者李在镕周四评论争论了该公司将使用举世首个3纳米工艺技巧制造芯片的计谋。

李在镕当天参不雅了三星位于京畿道华城的半导体研发中间,这是他在2020年头?年月次正式进行现场治理。李在镕谈到了该公司的计划,该计划旨在应用正在开拓中的最新3纳米全栅极(gate-all-around,简称GAA)工艺技巧,使举世客户订购的尖端芯片商业化。

GAA被称为当前FinFET技巧的进级版,该技巧能够使芯片制造商将微芯片的制造工艺进一步提升。

三星去年4月完成了基于极度紫外线技巧的5纳米FinFET工艺技巧的开拓,该公司正在钻研下一代纳米工艺技巧。三星称,与5纳米制程比拟,3纳米GAA技巧在逻辑区域效率方眼前进了35%以上,功耗低落了50%,机能前进了约30%。

三星谈话人说:“李在镕对半导体研发中间的造访,再次凸显了三星允诺生长为非内存领域顶级芯片制造商的允诺。”

去年,三星发布了一项1118.5亿美元的投资计划,目标是到2030年景为举世最大年夜的芯片系统制造商。

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